La observación original de Gordon Moore sobre la densidad del transistor se aplica a los semiconductores en general. De hecho, Intel pasó mucho tiempo en el negocio de DRAM. John Gustafson tiene toda la razón en que puede adaptarse mejor a la DRAM que a los procesadores, sin embargo, las restricciones económicas son aún más poderosas (la memoria es generalmente una mercancía). Como producto básico, la memoria (y las piezas de “almacenamiento” de semiconductores como NAND) deben fabricarse de manera menos costosa que los procesadores, utilizando menos pasos y vendidos de manera menos costosa. Es una “receta” fabulosa diferente, pero sujeta a las mismas restricciones básicas de escala.
En general, el campo ha utilizado la Ley de Moore para ser un proxy para el “rendimiento”. Antes de aproximadamente 2003, Dennard Scaling fue de la mano con la Ley de Moore y observó que el voltaje escalaba con las generaciones del proceso. Esto permitió que la densidad y la frecuencia aumentaran mientras que un chip de la misma área podría continuar disipando el mismo calor (P es proporcional a CV ^ 2f). Una vez que el voltaje dejó de escalar, la frecuencia tuvo que ser fijada (o disminuida lentamente) y pasamos a arquitecturas multinúcleo. Eso significaba que cualquier actuación que pudiera derivarse de la Ley de Moore tendría que venir del paralelismo (Ley de Amdhal y / o Ley de Gusftafson). Como otro vínculo interesante con la memoria, Dennard inventó la memoria DRAM en IBM.
NAND tiene una tendencia de escala de densidad ligeramente mejor debido a la forma en que se fabricó (y accedió) en comparación con su dispositivo de acceso, pero la tendencia general aún se mantiene.
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